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《半導體》南茂明年營運續揚,產能估雙位數成長
中時電子報 2018/11/09 07:44
封測廠南茂(8150)昨(8)日召開線上法說,董事長鄭世杰表示,雖然半導體景氣仍不明朗,南茂受惠標準型DRAM訂單增加、觸控面板感應晶片(TDDI)產品滲透率提升,預期明年營運將持續成長。不過,因仍有許多不確定因素,將密切注意市場及客戶狀況因應。

南茂財務長蘇郁姣表示,第三季整體稼動率約75~80%,其中測試約75~78%,封裝約65%,驅動IC約80~85%,凸塊約75~80%。

展望第四季,受惠新客戶測試產能陸續到位、投入生產,且10月再度調漲面板驅動IC(DDIC)測試及12吋薄膜覆晶封裝(COF)報價,鄭世杰預期第四季DDIC稼動率估維持滿載,帶動營收持續成長。

同時,TDDI產品在新型智慧手機滲透率持續增加,且新型窄邊框、全螢幕智慧手機帶動的12吋COF需求非常強勁,鄭世杰預期需求將持續到年底、甚至到明年,南茂將持續投資擴產,主要擴充TDDI、車用DDIC測試及12吋COF封裝、晶圓凸塊產能。

鄭世杰表示,預期南茂明年產能將年增約雙位數,資本支出將達年營收約20~25%。明年新增的封測產能,均與客戶簽署產能保障協議,確保未來3年的基本稼動率,若未達規定稼動率,客戶會按單位時間及費用支付給南茂。

鄭世杰表示,由於目前機器設備交期相當長,預期明年產能供需仍緊,認為南茂DDIC產品明年營收將持續成長,按目前簽署的產能保障協議最低門檻推估,明年TDDI占驅動IC營收比重,將自今年第三季的22%提升至30~35%。

記憶體方面,受終端產品需求減緩、客戶調節庫存影響,鄭世杰預期第四季利基型DRAM及Flash營收會較第三季稍降。不過,由於美系DRAM客戶自第四季起增加對南茂封測代工下單量,預期第四季記憶體產品營收將持平第三季。

鄭世杰指出,美系DRAM客戶明年初將繼續增加標準型DRAM代工訂單量,並將較成熟的低容量NAND Flash陸續轉由南茂封裝生產,目前既有產能已足以因應上述新增訂單需求,看好明年封裝營收及稼動率將進一步成長提升。

對於美系DRAM客戶在台中興建自有封裝產能,是否擔心影響未來外包釋單量,鄭世杰表示,DRAM主要分為標準型、行動型及下世代的DDR4/DDR5,南茂目前承接該客戶的記憶體封裝訂單,和其台中廠產品線完全沒有重疊,因此不會有此影響。

至於上海紫光宏茂目前仍處虧損,南茂前三季認列約1.5億元虧損,南茂表示,第三季認列紫光宏茂虧損約6000多萬,目前投資機器設備已有既定產能安排,預期稼動率可望逐季逐月提升,可望帶動虧損逐季下降,期望明年第二、三季能出現單月或單季損平。